近日，由中国一汽研发总院新能源开发院功率电子开发部主导设计的首款1700V超高压碳化硅功率器件样件开发成功。相关产品与技术可助力电动汽车补能系统向超高压平台升级，极大缩短充电时间。
该超高压功率器件搭载国产先进1700V车规级超高压碳化硅芯片，创新采用高介电强度封装材料、高耐压封装结构等技术，器件耐压最高可达1700V。经过测试，器件工作的最高母线电压可达1200V，可应用于1200V整车搭载。
此外，该超高压功率器件结合高密度元胞并联和短沟道元胞结构设计、高通流铜夹互联和高耐温银烧结工艺等先进技术，在超高压平台下可充分发挥低损耗与高电流输出综合性能优势，有效提升动力系统的功率密度和效率。能够在高压、高温下稳定高效运行，保证用户驾驶动力体验，最大程度节约整车电耗，提升续驶里程。
据介绍，碳化硅具备耐高压、耐高温、高频、抗辐射等优良电气特性，成为第三代半导体核心材料。碳化硅功率器件主要应用于新能源车的电驱电控系统，有助于实现新能源车电力电子驱动系统轻量化、高效化。一汽红旗成功攻克该领域应用技术，将有力解决电动汽车“充电焦虑”和“里程焦虑”，丰富前瞻性技术储备，为红旗产品适应“千伏”以上高压架构落地、实现5分钟快速补能奠定坚实基础。
